БАРИЯ ОКСИД ВаО, бесцв. кристаллы с кубич. решеткой (а = 0,5542 нм, пространств. группа Fm3m; плотн. 5,7 г/см³); при 23°С и 9200 МПа превращ. в тетрагон, модификацию (а = 0,4459 нм, с = 0,3606 нм), при 14000 МПа - в тетрагональную др. типа (а = 0,4397 нм, с = 0,3196 нм, пространств, группа Р4/птп). Т. пл. 2017°С; при нагр. возгоняется; С°_р 46,99 ДжДмоль-К), ур-ние температурной зависимости: С_p° = 48,117 + 11,527-10^-3Т - 3,896*10⁵ 7^-2 + 2,083.10^-6Т² (298-2290 К); энтальпия образования -548,0 кДж/моль, энергия Гиббса образования -520,5 кДж/моль; S^o₂₉₈ 72,00 Дж/(моль*К)), для газа 235,35 Дж/(моль*К)); ур-ние температурной зависимости давления пара над твердым ВаО: 1gр(Па) = 10,99 - 19700/7(1200-1700 К). ВаО - диамагнетик (0,13*10⁹). Теплопроводность 7,8-4,8 Вт/(м*К) (80-1100 К). Р-римость (мол. %) при 1200°С в расплавах солей: в NaCl-5,3, KCl - 3,4, Li₂SO₄ - 9,9, Na₂SO₄ - 7,6. Легко реагирует с водой, к-тами и СО₂. Получают ВаО термич. разложением ВаСО₃ при 700-900°С или ВаО₂ при 500-600 °С.

Прокаливанием ВаО в парах Ва получают нестехио-метрич. оксиды Ва_1+хО - голубые кристаллы. Ур-ния зависимости х от давления пара Ва: х(в мольных долях) = 1,51*10^-5 р^0.328 (в интервале давлений 4*10^-3 - 130 Па при 1473 К); х = 6,08*10^-5 р^1,075 (в интервале 130-4270 Па при 1473 К). Нестехиометрич. оксиды - компоненты твердых р-ров (вместе с SrO и СаО), являющихся материалами оксидных катодов электронно-лучевых трубок, видиконов, фотоэлектрич. преобразователей тока и др. электронно-вакуумных устройств.

При нагр. ВаО ок. 500°С в среде О₂ получают пероксид ВаО₂ - бесцв. кристаллы с гексаген, решеткой (а = =0,534 нм, с = 0,677 нм, пространств. группа 14/ттл); плотн. 4,96 г/см³; С°_р 66,94 Дж/(моль*К),H^о_обр - 623,0 кДж/моль; энергия Гиббса образования  -575,27 кДж/моль; S^o₂₉₈ 91,13 Дж/(моль*К). Выше 500°С разлагается с выделением О₂; взаимод. с H₂SO₄, образуя Н₂О₂. ВаО₂ - источник чистого О₂, компонент пиротехн. составов, отбеливатель для тканей, бумаги.

Лит.: Ковтуненко П. В., Xа риф Я. Я, "Успехи химии", 1979, т. 48, в. 3, с. 448-80. П. В. Ковтуненко.