БАРИЯ ТИТАНАТ ВаТiO₃, бесцв. кристаллы; т. пл. 1616°С; при 11-121,5°С существует тетрагон, модификация (а = 0,3992 нм, с = 0,4036 нм, z=1, пространств. группа P4/mmm); плотн. 6,08 г/см³; С° 102 ДжДмоль-К); энтальпия обр. -1654 кДж/моль; S₂₉₈ 108 Дж/(моль*К); температурный коэф. линейного расширения (3,5 ± 1,5)*10^-6 К^-1 (4-120°С); твердость по шкале Мооса 4,0-5,2; в интервале т-р от —273 до 121,5°С обладает св-вами сегнетоэлектрика; точка Кюри ок. 120°С; спонтанная поляризация ~ 30 мкКл/см²;10⁷-10⁸ Ом*см; е для спеченных образцов 100-1200, для монокристаллов-до 6000; tg0,6-0,036 (для частот 10²-2,5*10¹⁰ Гц). Кристаллы оптически прозрачны в области длин волн 0,4-7,0 мкм; показатель преломления обыкновенного луча 2,4164, необыкновенного - 2,3637 (для длины волны 0,63 мкм). Известны также и др. кристаллич. модификации Б.т.: ниже — 73°С-гексагональная, от -73 до 11 °С - ромбическая, при 121,5-1460°С - кубическая, выше 1460 °С - гексагональная.

Б. т. не раств. в воде, раств. в расплавах ВаС1₂, KF, BaF₂. Взаимод. с неорг. к-тами. Получают Б. т. спеканием ВаСО₃ с ТiO₂ при 1300°С. Монокристаллы выращивают из р-ров ТiO₂ (65 мол. %) и ВаСО₃ (35 мол. %) в расплавах ВаС1₂ или BaF₂. Спеченный ВаТiO₃ и его твердые р-ры с PbZrO₃ и др. применяют для изготовления малогабаритных конденсаторов, пьезоэлементов, пироэлектрич. приемников лучистой энергии и др.

Лит.: Титанат бария, М., 1973; Бурсиан Э. В., Нелинейный кристалл. Титанат бария, М., 1974; Лайнс М., Гласе А., Сегнетоэлектрики и родственные им материалы, пер. с англ., М., 1981; Кузьминов Ю. С., Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением, М., 1982; Веневцев Ю. Н., Политова Е. Д., Иванов С. А., Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария, М., 1985. В.М.Гармаш, А.А.Жашков.