ГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs, темно-серые с фиолетовым оттенком и металлич. блеском кристаллы, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,565321 нм); т. пл. 1238°С; плота. 5,317 г/м3 (20 °С), жидкого 6,00 г/см3 (1238 °С); С° 46,9 Дж/(моль*К); энтальпия плавления 105,6 кДж/моль, энтальпия образования -74,1 кДж/моль; So298 64,27 Дж/(моль*К); температурный коэф. объемного расширения 5,93-10-6 К-1 (0-252°C; теплопроводность 150Вт/(м*К) при 27 °С; епсилон 13,2. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 1,428 эВ, подвижность электронов 8500см2/(В*с), дырок 400 см2/(В*с); эффективная масса электронов проводимости те = 0,065m0, дырок mp = 0,5m0 (m0-масса свободного электрона). Устойчив к кислороду воздуха и парам воды до ~600°С, медленно реагирует с H2SO4 и соляной к-той с выделением AsH3, под действием HNO3 пассивируется, р-рами щелочей разлагается. Получают GaAs сплавлением Ga с As под давлением паров As (ок. 100 кПа). Монокристаллы выращивают методами зонной плавки, направленной кристаллизации под давлением паров As или вытягиванием по Чохральскому из-под слоя флюса В2О3 под давлением Аг (150 кПа). Эпитаксиальные пленки, а также мелкокристаллич. GaAs получают путем хим. транспортных р-ций с Н2 в кач-ве газа-носителя, напр.: 4GaAs + 4НС1= 2GaCl + 4As + 2Н2(900 -> 750 °С) при этом GaAs получают в горячей зоне (900 °С) по р-ции: 2Ga + 2AsCl3 + 3H2 -> 2GaAs + 6HC1 Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer
Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM.
SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием.
Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.
Что умеет делать SeoHammer
— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок. — Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта. — Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы). — SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание. SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Зарегистрироваться и Начать продвижение Используют также процесс Ga(C2H5)3 + AsH3 -> GaAs + 3C2H6 (ок. 700 °C. Пленки GaAs получают также из его р-ров в расплавленном Ga. Для легирования монокристаллов и пленок используют добавки Те. Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. Монокристаллы с высоким р (108-109 Ом*см) получают с использованием добавок Fe или Сr. Г. а.-один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др. Лит.: Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Касаманлы и Д. Н. Наследова, М., 1973; М ильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия), М., 1974. П. И. Федоров. | |
Категория: Г | Добавил: FilIgor (21.10.2015) | |
Просмотров: 819 |