ГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP, оранжевые или зеленовато-желтые кристаллы с алмазным блеском; решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,54495 нм); т. пл. 1790°С- плотн. 4,1297 г/см3, жидкого 4,6 г/см3 (1790 °С); температурный коэф. линейного расширения 5,78*10-6 К-1; теплопроводность 110 Вт/(м*К) при 27 °С; Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 2,25 эВ; подвижность электронов 300 см2/(В*с), дырок 150 см2/(В*с).

Г. ф. устойчив к действию кислорода воздуха до ~ 700 °С, не взаимод. с водой, практически не реагирует с H₂SO₄ и соляной к-той, медленно взаимод. при нагр. с азотной и фтористоводородной к-тами, царской водкой, разлагается р-рами щелочей при нагревании с выделением РН₃.

В виде плотного слитка GaP получают сплавлением Ga с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка - действием РН₃ на расплав Ga. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В₂О₃ под давлением Аr, небольшие монокристаллы-из р-ров GaP в расплаве Ga. Порошкообразный GaP получают восстановлением GaPO₄ водородом или СО при 800-1000 °С. Эпитаксиальные пленки GaP наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок GaP используют добавки Те, Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge.

GaP-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильтров и др.

Лит.: [Марина Л. И, На шсльски и А. Я.], Фосфид галлия, М., 1965; Фосфид галлия, Киш., 1969. П.И.Федоров.