ОЛОВА ХАЛЬКОГЕНИДЫ , соед. олова с серой-SnS, SnS₂, Sn₂S₃, Sn₃S₄, с селеном-SnSe, SnSe₂, с теллуром - SnTe. Кристаллы; не раств. в воде и разб. минер, к-тах, раств. с разложением в конц. HNO₃, H₂SO₄, фтористоводородной к-те, царской водке; SnS раств. также в конц. соляной к-те и р-рах полисульфидов щелочных металлов и аммония, SnS₂-B р-рах сульфидов щелочных металлов и аммония. О. х.-полупроводники; св-ва их представлены в таблице.

Моносульфид SnS_1-Δ -нестехиометрич. соед., где 0<Δ<0,00027, растворяет до 2,7·10^-2 ат.% S; сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lgp(Па) = = — 10600/T+ 12,27; температурный коэф. линейного расширения 14,1·10^-6К^-1; теплопроводность 0,113 Вт/(см·К); полупроводник обычно p-типа, эффективная масса дырок вдоль осей а, b, с: т_а = т_b = 0,2m₀, m_с = 1,0 m₀ (m₀ - масса своб. электрона); температурный коэф. — 4,8·10^-4 К^-1.

Постепенно окисляется на воздухе до SnOS и SnO₂. В природе SnS-редкий минерал герценбергид.

Дисульфид SnS₂ при нагр. в вакууме разлагается на SnS и пары S;  10⁷ Ом·см; полупроводник n-типа.

Моноселенид SnSe - нестехиометрич. соед., растворяет до 10 ^-4 ат. % Se; существует в двух модификациях- a и b , т-ра перехода  534 °С; сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p(Пa) = - 10690/Т+ 12,47 (789-975 К); энтальпия возгонки 212 кДж/моль, энтальпия плавления 26 кДж/моль; температурный коэф. линейного расширения 12·10^-6 К^-1; полупроводник р-типа, эффективная масса дырок т_р = 0,15т₀, подвижность дырок 70-115 см²/(В·с). Окисляется при нагр. до SnO₂.

Для диселенида SnSe₂: энтальпия плавления  51 кДж/моль; ур-ние температурной зависимости давления пара lg p(Па) = = -9720/Т+ 14,18 (853-913 К); сублимируется с диссоциацией до SnSe и Se; кристаллы, выращенные из пара,-полупроводники n-типа, из расплава -р-типа; эффективная масса электронов т_е = 0,4т₀, подвижность дырок 80 см²/(В · с) при 100 К, электронов 30 см²/(В·с).

Теллурид SnTe - нестехиометрич. соед., растворяет 0,1-1,1 ат. % Те (600 °С); существует в двух модификациях; ниже — 173°С кубич. форма переходит в ромбоэдрическую; энтальпия плавления  33 кДж/моль, энтальпия возгонки  223 кДж/моль, сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p>(Па) = -11211/T+ 12,67 (820-933 К); теплопроводность 0,07 Вт/(см·К); температурный коэф. линейного расширения 21·10^-3 К^-1; полупроводник p-типа, т_р = = (0,06 — 0,14) т₀, подвижность дырок 300 см²/(В·с), температурный коэф. —2·10^-4 К.

Получают О. х. оглавлением простых в-в в вакуумир. ампулах или в инертной атмосфере, SnS₂-также сплавле-нием SnS и S; SnS - осаждением из водных р-ров солей Sn(II) с H₂S в присут. H₂SO₄, взаимод. расплавленного SnCl₂ с S. Монокристаллы и эпитаксиальные пленки выращивают хим. осаждением из газовой фазы, методами хим. транспортных р-ций, монокристаллы - также направленной кристаллизацией из расплава.

О. х.-материалы для термоэлектрич. генераторов (SnTe), фоторезисторов (SnS, SnS₂, SnSe), фотодиодов (SnS, SnSe), переключателей в запоминающих устройствах ЭВМ (SnS₂, SnSe₂); в технике применяют SnSe и SnTe. SnS-также весовая форма при определении Sn^2 + , катализатор полимеризации, используется для получения SnO₂; SnS₂-пигмент (имитатор золота, т. наз. сусальное золото) для "золочения" (дерева, гипса), весовая форма при определении Sn^4 + ; твердые р-ры SnSe PbSe - материалы ИК оптоэлектроники, лазерной техники.

Лит. см. при. ст. Олово. В. П. Зломанов.