ХимЛаб - сайт о химии

СhemistLab.ru

Главная | Химический справочник | Регистрация | Вход
Воскресенье
11.12.2016
12:51
Гостевая книга
Информация о сайте
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная » Статьи » Г

Галлия оксиды

ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ . Сесквиоксид Ga2O3-белые кристаллы. Наиб. устойчива р-модификация с моноклинной решеткой типа А12О3 (a = 1,223нм, b = 0,304 нм, с =0,508 нм, в 103,7°, z = 4, пространств. группа С2/m); т. пл. 1725°С; плотн. 5,88 г/см3; С° 92,18 Дж/(моль*К); энтальпия образования - 1090 кДж/моль, энтальпия плавления 519 кДж/моль, энтальпия возгонки 574 кДж/моль; 298 85,1 Дж/(моль*К); 10,2; выше 1200°С частично диссоциирует на Ga2O и О2;

Полупроводник n-типа; ширина запрещенной зоны 4,6-4,7 эВ (27 °С). Не раств. в воде и орг. р-рителях. С минер. к-тами образует соли Ga, с р-рами щелочей - галлаты. После прокаливания выше 600 °С взаимод. только с расплавленными щелочами и гидросульфатами щелочных металлов. При спекании с оксидами или карбонатами др. металлов образует галлаты. Получают Ga2O3 прокаливанием Ga(NO3)3 или Ga(OH)3 при 200-250 °С, затем в течение 12 ч при 600 °С. Применяют его для получения галлиево-гадолиниевого граната и др. соединений Ga. Теми оксид Ga2О-темно-коричневое, серое или черное в-во; т. пл. ок. 650°С, т. кип. ок. 725 °С; плотн. 4,77 г/см3 (20°С); энтальпия образования твердого в-ва -356 кДж/моль; для газа Сop 48,2 Дж/(моль*К), энтальпия образования - 85,9 кДж/моль; So298 284 Дж/(моль*К). Устойчив в сухом воздухе при 20 С, в отсутствие О2 и паров Н2О - до 600 °С. В интервале 700-1000 °С легко диспропорционирует на Ga и Ga2O3, в парах выше 1000°С не днспропорционирует. Ур-ние температурной зависимости давления пара над смесью Ga2O3 с Ga: 1gр(гПа) = 11,90- 13490/Т (1000-1100 К). Ga2O- сильный восстановитель, легко окисляется при нагр.; медленно взаимод. с разб. к-тами, энергично - с концентрированными. М. б. получен нагреванием Ga в атмосфере СО2 или паров Н2О (в присут. Н2), а также восстановлением Ga2O3 галлием с послед. сублимацией в вакууме. Gа2О - промежут. соед. при получении эпитаксиальных пленок GaAs и GaP с помощью хим. транспортных р-ций.

В парах при высоких т-рах наблюдался оксид GaO.

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров. 

Категория: Г | Добавил: FilIgor (21.10.2015)
Просмотров: 115
Таблица Менделеева
Форма входа

Категории раздела
А [58]Б [51]
В [40]Г [48]
Д [40]Е [2]
Ж [11]З [24]
И [23]К [70]
Л [39]М [56]
Н [55]О [26]
П [66]Р [56]
С [97]Т [50]
У [14]Ф [32]
Х [19]Ц [59]
Ч [8]Ш [20]
Щ [7]Э [33]
Ю [1]Я [11]
Поиск
Типовые задачи

Типовые задачи и решения по общей и неорганической химии

Типовые задачи и решения по физико-химическим методам анализа

Типовые задачи и решения по электрохимии

Типовые задачи и решения по комплексным соединениям

Типовые задачи и решения по физической химии

Облако тегов
Посетители

Онлайн всего: 18
Гостей: 18
Пользователей: 0
Поделиться
lascheggia © 2012-2016
Бесплатный хостинг uCoz