ХимЛаб - сайт о химии

СhemistLab.ru

Главная | Химический справочник | Регистрация | Вход
Четверг
08.12.2016
10:47
Гостевая книга
Информация о сайте
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная » Статьи » И

Индия оксиды

ИНДИЯ ОКСИДЫ . Сесквиоксид In2О- светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, = 16, пространств. группа Ia3): плотн. 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с =1,4510 нм, = 6, пространств. группа R3с); плотн. 7,3 г/см3. Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; т. кип. - 3300 °С; p 92 Дж/(моль.К); DH0пл 84 кДж/моль, DH0возг 272 кДж/моль, DH0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2О3 не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минер. к-тами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, напр. NaInO2. Получают In2О3прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2О - черное твердое в-во; т. пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см3; для газа DH0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с к-тами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термич. разложением In22О4)3. Пары In2О образуются при нагр. смеси In с In2О3, ур-ние температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)- бесцв. кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и нек-рыми орг. к-тами. С разб. р-рами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. р-рами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на р-ры In(NO3)3, подкисленные уксусной к-той. Используют для получения In2О3 и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. И. Федоров.

Категория: И | Добавил: FilIgor (22.10.2015)
Просмотров: 91
Таблица Менделеева
Форма входа

Категории раздела
А [58]Б [51]
В [40]Г [48]
Д [40]Е [2]
Ж [11]З [24]
И [23]К [70]
Л [39]М [56]
Н [55]О [26]
П [66]Р [56]
С [97]Т [50]
У [14]Ф [32]
Х [19]Ц [59]
Ч [8]Ш [20]
Щ [7]Э [33]
Ю [1]Я [11]
Поиск
Типовые задачи

Типовые задачи и решения по общей и неорганической химии

Типовые задачи и решения по физико-химическим методам анализа

Типовые задачи и решения по электрохимии

Типовые задачи и решения по комплексным соединениям

Типовые задачи и решения по физической химии

Облако тегов
Посетители

Онлайн всего: 19
Гостей: 19
Пользователей: 0
Поделиться
lascheggia © 2012-2016
Бесплатный хостинг uCoz