| Miriada | Дата: Вторник, 23.04.2013, 20:10 | Сообщение # 1 |
Группа: Пользователи
Сообщений: 699
| Здравствуйте!
Уже долгое время я пытаюсь понять принцип составления резонансных структур. Я понимаю, что эффект сопряжения возможен, если в соединении имеются сопряженные связи и либо вакантная орбиталь, либо неподелённая пара электронов,
либо один неспаренный электрон + орбитали должны располагаться в одной
плоскости. Свободная электронная пара всегда идёт на создание
пи-связи, на свободную орбиталь всегда переходит пара электронов, а
один неспаренный электрон всегда связывается с электроном из соседней
пары и при этом вытесняет один электрон.
Но вот очередное задание по теме Сверхсопряжение , и я опять не могу ничего нарисовать.....
+
[ H3C-C-CH3] - 6 резонансных структур и
|
H
+
[ H3C-C-CH3] - 9 резонансных структур. Как нужно рассуждать ( подробно) во время написания граничных
|
СH3
структур?
|
|
| |
| |
| |
